logo
Να στείλετε μήνυμα

Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block

1 χιλιόγραμμα
MOQ
1 USD/KG
τιμή
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block
Χαρακτηριστικά Εκθεσιακός χώρος Περιγραφή προϊόντων Ζητήστε ένα απόσπασμα
Χαρακτηριστικά
Προδιαγραφές
Μέγεθος σωματιδίων: 6 μικρών
Καθαρότητα: 990,99%
Θερμοκρασία εφαρμογής: Μέχρι 3000°C
Θερμική αγωγιμότητα: 125 W/mK
Σφιχτότητα: 10,85 g/cm3
Συντελεστής θερμικής διαστολής: 40,8-5,2 μm/mK
Υλικό: Γράφιτος
Δυνατότητα συμπίεσης: 125 MPa
Επισημαίνω:

Επενδύσεις σε ηλεκτρικό ρεύμα

,

ημιαγωγός υψηλής πυκνότητας γραφίτη

,

Γράφιτο σε σφαιρίδια πυριτίου υψηλής πυκνότητας

Βασικές πληροφορίες
Τόπος καταγωγής: Πίνγκινγκσαν, Κίνα
Μάρκα: Oriental Carbon
Πιστοποίηση: ISO9001-2015
Αριθμό μοντέλου: ΟΚΕ-6
Πληρωμής & Αποστολής Όροι
Συσκευασία λεπτομέρειες: Κουβέρτες από πλεξίγραφο
Χρόνος παράδοσης: 15-30 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής: Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς: 3000 τόνοι/μήνα
Περιγραφή προϊόντων
Περιγραφή του προϊόντος
Το ισόστατο γραφίτη έχει τόσα πλεονεκτήματα σε σύγκριση με το τυποποιημένο γραφίτη ή το εξωποιημένο γραφίτη.Λογική τιμή και μετά την πώληση.
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 0
Ονομασία προϊόντος
OCE-6 Ισοστατικό μπλοκ γραφίτη
Σφιχτότητα
10,85 g/cc
Μέγεθος του κόκκου
6 μμ
Δύναμη συμπίεσης
125 MPa
Δύναμη κάμψης
65 MPa
Ηλεκτρική αντίσταση
13-15 uΩ.m
Σκληρότητα
70 HSD
  • Πλεονεκτήματα

1) Λιγότερη πυκνότητα και ελαφρύτερο βάρος σε σύγκριση με τα υλικά χάλυβα.
2) ευκολότερη για τη μεταποίηση
3) Ισχυρή αντοχή σε θερμικά σοκ
4) Δεν είναι εύκολο να λυθεί σε σύγκριση με το χάλυβα χάλυβα λόγω της χαμηλής θερμικής επέκτασης
5) Λεπτό μέγεθος κόκκων, καλή λίπανση
6) Υψηλό σημείο τήξης, υψηλή αντοχή σε θερμοκρασίες, υψηλή ικανότητα κατά της παραμόρφωσης
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 1
Λεπτομερείς εικόνες
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 2
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 3
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 4
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 5
Πληροφορίες για το μέγεθος
610*510*210/260
620*520*260/300
700*350*230
950*650*310
 
 
Γρπαίτης
Κύκλοι
820*420*210/260/310
1150*1150*290
1250*600*300
1300*700*320/350
1350*800*350
1400*800*260
1600*800*350
1650*650*350
2000*700*320
2200*710*540
 
 
φ130*280
φ130/140/150/160*500
φ160*650/900
φ180*850/900
 
 
 
Γράφιτος
Στάβδοι
φ200*900
φ220*900/1000
φ240*900
φ260*850/900
φ280*900
φ300*850/900
φ330*900
φ360/400/430*1000
φ460*1000/1050
φ500*1000/1050
φ550*1000/1100
φ600/650*1000
φ700*750
φ1100*700
Φ980/1100*900
φ1100*1100
Έλεγχος ποιότητας
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 6
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 7
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 8
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 9
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 10
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 11
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 12
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 13
Εισαγωγή της εταιρείας
Ιδρύθηκε τον Φεβρουάριο του 2006, η Pingdingshan Oriental Carbon Co., Ltd. βρίσκεται στην προηγμένη ζώνη ανάπτυξης παραγωγής της επαρχίας Shilong, πόλης Pingdingshan, επαρχία Henan,με εγγεγραμμένο κεφάλαιο 119 εκατ. γιουάν, που καλύπτει έκταση 170.000 m22, και περισσότερους από 400 υπαλλήλους. Έχουμε μια θυγατρική που ανήκει εξ ολοκλήρου στην Baofeng Xinxin Carbon Material Co., Ltd. Στις 30 Ιουνίου 2023, το Oriental Carbon καταχωρήθηκε στο Χρηματιστήριο του Πεκίνου,η οποία γίνεται η πρώτη ιδιωτική επιχείρηση που καταχωρίζεται στο BSE.
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 14
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 15
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 16
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 17
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 18
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 19
Ανατολικό άνθρακα στο μέλλον
Η συνολική επένδυση του νέου σχεδίου του Oriental Carbon υπό κατασκευή (2024) είναι 1,08 δισεκατομμύρια CNY, το νέο εργοστάσιο καλύπτει έκταση 120.000 m22Συμπεριλαμβανομένου ενός νέου βιομηχανικού εργοστασίου 75.000 m2 και ενός εργοστασίου 60000 m22Στο μέλλον, θα ακολουθήσουμε την βιομηχανική έννοια της καινοτομίας που βασίζεται στην τεχνολογία και θα προσπαθήσουμε να οικοδομήσουμε μια σύγχρονη βάση παραγωγής γραφίτη, η οποία θα είναι ψηφιακή.έξυπνη και χαμηλής εκπομπής άνθρακα.
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 20
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 21
Συσκευή και αποστολή
Τυποποιημένα περιβλήματα αντιστρόφου ή απαιτήσεις των πελατών
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 22
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 23
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 24
Ημιαγωγός Silicon Wafer Graphite Block Μεγάλη πυκνότητα Graphite Block 25
Συνιστώμενα προϊόντα
Ελάτε σε επαφή μαζί μας
Τηλ.: : +86 13323753938
Φαξ : 86-375-2535393
Χαρακτήρες Λοιπά(20/3000)